分子束外延生长系统
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产品描述
分子束外延生长系统
产品整体参数
产品技术性说明:
分子束外延生长系统(MBE )是-种在样品表面生长高纯度薄膜的超高真空技术。系统中的蒸发源通过精确控制外延层的组分和掺杂浓度,来精确控制薄膜的厚度和纯度。这项技术可广泛应用于:晶体生长、薄膜制备,表面科学及相关的半导体领域。
蒸发源通过直流加热或者电子束加热的方式,将蒸发源坩埚中的材料以分子束的形式沉积在热的样品基底表面。为保证生长材料的纯度,整个过程在超高真空环境中进行。高精度可编程电源和挡板可以精确控制生长材料的增长速率及纯度,材料生长可通过微晶天平监测。
产品列表
真空度 |
MBE主腔室好于1x10-10mbar |
加热温度 |
室温-1100K |
蒸发源 |
1-6,可定制 |
RHEED |
定制 |
微晶天平 |
定制 |