分子束外延生长系统

分子束外延生长系统
网站首页    应用    真空系统    分子束外延生长系统
Control Render Error!ControlType:productSlideBind,StyleName:Style1,ColorName:Item0,Message:InitError, ControlType:productSlideBind Error:未将对象引用设置到对象的实例。

ONLINE MALL

科研商城

价格面议
现价:
¥ 999999999.00
加入购物车

产品描述

分子束外延生长系统

 

产品整体参数

 

产品技术性说明:

分子束外延生长系统(MBE )-种在样品表面生长高纯度薄膜的超高真空技术。系统中的蒸发源通过精确控制外延层的组分和掺杂浓度,来精确控制薄膜的厚度和纯度。这项技术可广泛应用于:晶体生长、薄膜制备,表面科学及相关的半导体领域。

蒸发源通过直流加热或者电子束加热的方式,将蒸发源坩埚中的材料以分子束的形式沉积在热的样品基底表面。为保证生长材料的纯度,整个过程在超高真空环境中进行。高精度可编程电源和挡板可以精确控制生长材料的增长速率及纯度,材料生长可通过微晶天平监测。

 

产品列表

真空度

MBE主腔室好于1x10-10mbar

加热温度

室温-1100K

蒸发源

1-6,可定制

RHEED

定制

微晶天平

定制